大显存大位宽 迪兰R9 280 酷能3G DC图赏
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迪兰R9 280 酷能3G DC 显卡搭载了28纳米制造工艺的GCN架构,包含完整1792个流处理器。并且采用3GB/384bit显存组合,配合5000MHz显存频率带来240GB/S超大带宽。
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2018-01-31
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迪兰R9 280 酷能3G DC 显卡搭载了28纳米制造工艺的GCN架构,包含完整1792个流处理器。并且采用3GB/384bit显存组合,配合5000MHz显存频率带来240GB/S超大带宽。
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迪兰R9 280 酷能3G DC 显卡搭载了28纳米制造工艺的GCN架构,包含完整1792个流处理器。并且采用3GB/384bit显存组合,配合5000MHz显存频率带来240GB/S超大带宽。
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迪兰R9 280 酷能3G DC 显卡搭载了28纳米制造工艺的GCN架构,包含完整1792个流处理器。并且采用3GB/384bit显存组合,配合5000MHz显存频率带来240GB/S超大带宽。
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迪兰R9 280 酷能3G DC 显卡搭载了28纳米制造工艺的GCN架构,包含完整1792个流处理器。并且采用3GB/384bit显存组合,配合5000MHz显存频率带来240GB/S超大带宽。
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两枚Dual Cool风扇加空气导流罩,搭配3根U形热管,并做了镀镍处理。
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两枚Dual Cool风扇加空气导流罩,搭配3根U形热管,并做了镀镍处理。
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提供DVI + HDMI + 2xMini DisplayPort的接口设计。
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支持PCIE 3.0 标准。
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迪兰R9 280酷能 3G DC 采用了PCB金属加强背板,以及包括提升供电稳定性的亚铁盐芯电感、数字PWM和在内的黄金级用料。
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整卡采用6+8Pin 供电设计。